SAM半導體可飽和吸收鏡的微觀特性：

　　1、能帶間隙即禁帶寬度。它決定半導體可飽和吸收體的吸收波長，吸收系數(shù)一般在104/cm左右。以III-V族化合物半導體為例,吸收帶一般在可見光和近紅外波段。為了適應(yīng)各種吸收波長的需要，常常要用三元化合物半導體,如砷化鎵鋁(AlGaAs)，砷化銦鎵(InGaAs)，砷化銦鋁(InAlAs)等。

　　

　　2、晶格常數(shù)。半導體可飽和吸收體一般是用外延法生長在半導體襯底上的，襯底的晶格常數(shù)與要生長的半導體化合物的晶格常數(shù)原則上應(yīng)該相同，若不一致，則會在生長層上造成一定應(yīng)變(strain)，可分為壓縮型和擴張型。無論那種類型的應(yīng)變都會影響禁帶寬度，因而禁帶寬度的改變不是任意的，要受襯底晶格常數(shù)的制約。

　　

　　3、量子阱。當吸收體薄到一定程度，并被夾在高禁帶寬度的材料中間，就變成了所謂量子阱。在設(shè)計半導體可飽和吸收體時，根據(jù)吸收能量的大小，可以采用體吸收，也可以采用量子阱結(jié)構(gòu)。對于利用克爾效應(yīng)鎖模的激光器，僅僅需要百之零點幾至百分之幾的吸收，所以可飽和吸收體的厚度只需要幾個nm。

　　

　　4、時間特性。半導體可飽和吸收體之所以可以啟動鎖模，是因為它的高速時間特性。一般來說半導體的吸收有兩個特征弛豫時間，一是帶內(nèi)子帶之間的熱化(intrabandthermalization)，二是帶間躍遷(interbandtransition)。帶內(nèi)熱化是被激發(fā)到導帶的電子向子帶躍遷的物理過程，這個時間很短，在100-200fs左右，而帶間躍遷時間是電子從導帶向價帶的躍遷，相對較長，從幾ps到幾百ps。