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砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡

簡(jiǎn)要描述:砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors
可用芯片尺寸:
? 4.0mmx 4.0mm
? 2.0mm×2.0mm
?1.3mm×1.3mm
可根據(jù)要求定制尺寸

  • 產(chǎn)品型號(hào):B-M-1030
  • 更新時(shí)間:2025-03-12
  • 訪  問  量:1136

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

品牌BATOP產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域電子/電池

詳細(xì)介紹

砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors

如果需要尺寸僅為幾毫米的非常小的高反射鏡,選用在GaAs芯片上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡是比較合適的。
作為襯底的單晶GaAs砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55W /(m * K)的良好導(dǎo)熱率。它可以被切成小的方塊或矩形芯片。
我們提供未安裝的布拉格反射鏡,標(biāo)準(zhǔn)基板厚度為450um。

可用芯片尺寸:
4.0mmx 4.0mm
2.0mm×2.0mm
1.3mm×1.3mm
可根據(jù)要求定制尺寸



1030nm 砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GAAs Bragg mirrors


BM-1030nm-4x4 BM-1030nm-2x2
BM-1030nm-1.3x1.3
•GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡
•中心波長(zhǎng)λ= 1030 nm
•芯片面積:4 mm x 4 mm
•芯片厚度:450μm
Data sheet (pdf)
•GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡
•中心波長(zhǎng)λ= 1030 nm
•芯片面積:2 mm x 2 mm
•芯片厚度:450μm
Data sheet (pdf)
•GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡
•中心波長(zhǎng)λ= 1030 nm
•芯片面積:1.3 mm x 1.3 mm
•芯片厚度:450μm

Data sheet (pdf)


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砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors


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